2SK3899中文资料SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET数据手册Renesas规格书
2SK3899规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
The 2SK3899 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.FEATURES
•Super low on-state resistance
RDS(on)1= 5.3 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 42 A)
RDS(on)2= 6.5 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 42 A)
•Low C iss: C iss= 5500 pF TYP.
•Built-in gate protection diode
特性 Features
•Super low on-state resistance
RDS(on)1= 5.3 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 42 A)
RDS(on)2= 6.5 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 42 A)
•Low C iss: C iss= 5500 pF TYP.
•Built-in gate protection diode
技术参数
- 产品编号:
2SK3899(0)-ZK-E1-AZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
84A(Tc)
- 描述:
TRANSISTOR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
TO-263 |
16000 |
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NEC |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO-263 |
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RENESAS/瑞萨 |
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