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2SK3899中文资料SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SK3899

参数属性

2SK3899 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRANSISTOR

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 12:00:00

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2SK3899规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The 2SK3899 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.FEATURES
•Super low on-state resistance
  RDS(on)1= 5.3 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 42 A)
  RDS(on)2= 6.5 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 42 A)
•Low C iss: C iss= 5500 pF TYP.
•Built-in gate protection diode

特性 Features

•Super low on-state resistance
  RDS(on)1= 5.3 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 42 A)
  RDS(on)2= 6.5 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 42 A)
•Low C iss: C iss= 5500 pF TYP.
•Built-in gate protection diode

技术参数

  • 产品编号:

    2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    84A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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