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2SK3880	文件：257.31 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 1.35 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 5.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 640 V) • Enhancement model: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA) 文件：257.31 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3880	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3880	文件：245.35 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：245.35 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3880	文件：318.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3880	文件：246.32 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：246.32 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3880_06	文件：245.35 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：245.35 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3880_09	文件：246.32 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：246.32 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3882-01	文件：374.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：374.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3886-01MR	文件：375.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：375.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3887-01	文件：333.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
2SK388
制造商：
Toshiba
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS Bulk

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更多2SK388供应商更新时间2026-3-14 14:13:00

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