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SiliconN-ChannelMOSType SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.32Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) •Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | TOSHIBA | ||
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BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | TOSHIBA | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.43Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA |
最新 |
9000 |
原装正品 现货供应 价格优 |
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TOSHIBA |
1922+ |
TO220F |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO220F |
880000 |
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TOSHIBA |
ROHS |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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TOSHIBA |
22+ |
SMD |
200 |
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VBSEMI |
19+ |
TO-220F |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TOSHIBA东芝 |
24+23+ |
TO-220F |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
