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2SK3668中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SK3668
厂商型号

2SK3668

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

文件大小

82.71 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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2SK3668规格书详情

DESCRIPTION

The 2SK3668 is N-channel DMOS FET device that features a low on-state resistance, low charge and excellent switching characteristics, designed for high voltage applications such as high intensity discharge lamp drive.

FEATURES

• Low gate charge

QG = 26 nC TYP. (VDD = 320 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)

• Gate voltage rating: ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 0.55 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

• Surface mount package available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
SOT263
100000
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RENESAS/瑞萨
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TO252
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