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2SK3611-01MR	文件：323.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=260mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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文件：323.49 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=260mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

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N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Highspeedswitching Lowon-resistance Nosecondarybreadown Lowdrivingpower Avalanche-proof Applications Switchingregulators UPS(UninterruptiblePowerSupply) DC-DCconverters

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

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