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2SK3561中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3561

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

文件大小

227.46 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-10 10:18:00

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2SK3561规格书详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    2SK3561

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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