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2SK3480-ZJ	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3480isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=31mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=25A) •L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3480-ZJ	文件：77.83 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3480isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=31mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=25A) •LowCiss:Ciss=3600pFTYP. •B	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SK3480-ZJ	文件：402.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3480	文件：77.83 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3480isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=31mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=25A) •LowCiss:Ciss=3600pFTYP. •B	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SK3480	文件：45.72 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=31mMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=36mMAX.(VGS=4.5V,ID=25A) ●LowCiss:Ciss=3600pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3480	文件：949.49 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SK3480-ZJ
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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