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2SK3455B-S17-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3455B-S17-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

405.37 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 14:50:00

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2SK3455B-S17-AY规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3455B is N-channel MOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

FEATURES

• Low gate charge

QG = 30 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 12 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 0.60 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 6.0 A)

• Avalanche capability ratings

• Isolated TO-220 package

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