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2SK3386分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SK3386

参数属性

2SK3386 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRANSISTOR

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

241.76 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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更新时间

2026-2-10 8:23:00

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2SK3386规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3386 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

FEATURES

• Low On-state Resistance

RDS(on)1 = 21 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A)

RDS(on)2 = 36 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 17 A)

• Low Ciss: Ciss = 2100 pF TYP.

• Built-in Gate Protection Diode

• TO-251/TO-252 package

产品属性

  • 产品编号:

    2SK3386(0)-Z-E1-AZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    34A(Tj)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas Electronics America
2022+
-
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RENESAS
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