选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-252 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
SANYO |
30000 |
08PB |
||||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
TOSHIBATO-263/262 |
9526 |
23+ |
||||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
TTO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-220FLSM |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
TOSHIBA/东芝SMD |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
深圳鹏芯半导体科技(集团)有限公司3年
留言
|
NECTO-252263 |
88000 |
17+;19+ |
全新现货 |
|||
|
深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
|
TOS |
6430 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
85600 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
VBTO-220F |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
|
深圳市芯为科技有限公司5年
留言
|
TOSHIBATO-220SM |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
TOSHIBATO-220SM |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
深圳市九方航科技有限公司3年
留言
|
VBSEMITO-220F |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
|
深圳市大联智电子有限公司2年
留言
|
TOSHIBATO-220SM |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
|||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
iscTO-262/TO-263 |
3400 |
2024 |
|
国产品牌isc,可替代原装 |
||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
ON-安森美TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Toshiba Semiconductor and StorTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
TTO-252 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
TTO-252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
TTO-252 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
2SK3309采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SK3309图片
2SK3309(TE24L,Q)中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK3309制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3309(Q)功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 10A Rdson=0.48Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3309(TE24L,Q)功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 10A Rdson=0.48Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3309_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications