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2SK3296-ZJ中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3296-ZJ

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

546.33 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-17 20:00:00

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2SK3296-ZJ规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3296 is N-Channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

• 4.5 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

• Low gate charge

QG = 30 nC TYP. (ID = 35 A, VDD = 16 V, VGS = 10 V)

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

产品属性

  • 型号:

    2SK3296-ZJ

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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