2SK3153-E中文资料Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
2SK3153-E规格书详情
特性 Features
• Low on-resistance
RDS =65 mΩ typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
NA/ |
11318 |
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HITACHI |
09+ |
TO-220F |
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TO-220 |
23+ |
NA |
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HIT |
24+ |
TO-220 |
3778 |
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R |
23+ |
TO-220F |
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Renesas |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
HITACHI/日立 |
23+ |
5652 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
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HITACHI |
24+/25+ |
1800 |
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R |
25+ |
TOTO-220AB |
12300 |
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