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2SK3115B-S17-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3115B-S17-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

351.31 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 20:00:00

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2SK3115B-S17-AY规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3115B is N-Channel MOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

FEATURES

• Low gate charge

QG = 21 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 6.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 1.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A)

• Avalanche capability ratings

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
5178
原装现货,当天可交货,原型号开票
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NEC
22+
SOT263
100000
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TO220
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