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2SK3114中文资料K3114, 2SK3114 / MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SK3114

功能描述

K3114, 2SK3114 / MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:10:00

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2SK3114规格书详情

描述 Description

The 2SK3114 is N-channel DMOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.1. Low on-state resistance:  RDS(on)= 2.2 ΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 2.0 A)

2. Low gate charge:
  QG = 15 nC TYP. (VDD= 450 V, VGS= 10 V, ID= 4.0 A)

3. Gate voltage rating: ±30 V

4. Avalanche capability ratings

5. Isolated TO-220 package

技术参数

  • 型号:

    2SK3114

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Nch 600V 4A 2200m@10V IsolatedTO220 Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
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