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2SK3112中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SK3112
厂商型号

2SK3112

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

244.41 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:17:00

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2SK3112规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3112 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for high voltage applications such as DC/DC

converter, actuator driver.

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 110 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 13 A)

• Low input capacitance

Ciss = 1600 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

产品属性

  • 型号:

    2SK3112

  • 制造商:

    KEXIN

  • 制造商全称:

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述:

    MOS Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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