| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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5年
留言
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PANASONIC/松下220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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17年
留言
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SANYOTO-92S |
8000 |
24+ |
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17年
留言
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2000 |
24+ |
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10年
留言
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SANYOTO-92S |
3000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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15年
留言
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PANASONIC/松下TO-220F |
45000 |
25+ |
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PANASONIC/松下全新现货2SK3049即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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7年
留言
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SANYO/三洋SMD4 |
64581 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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5年
留言
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Panasonic Electronic ComponentTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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11年
留言
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PANASONICTO-220F |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
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6年
留言
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PANASONIC/松下TO-220F |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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10年
留言
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SANYONA |
13886 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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15年
留言
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SANYO原装SMD4 |
33344 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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17年
留言
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三洋TO-92S |
5500 |
24+ |
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6年
留言
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SANYO-三洋车规-光电器件 |
26800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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PANASONIC-松下TO-220-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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NEC-日本电气TO-263-3 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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ON-安森美车规-元器件 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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12年
留言
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VBsemiTO220F |
9000 |
25+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
2SK304采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SK304图片
2SK3045价格
2SK3045价格:¥5.1847品牌:Panasonic
生产厂家品牌为Panasonic的2SK3045多少钱,想知道2SK3045价格是多少?参考价:¥5.1847。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,2SK3045批发价格及采购报价,2SK3045销售排行榜及行情走势,2SK3045报价。
2SK3048中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK304制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency Amp Applications
2SK3042制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3043功能描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3044功能描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3045功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3046功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3047功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3048功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3049制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK304C功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 600UA I(DSS) | SPAK

































