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MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
产品属性
- 型号:2SK2995 
- 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 
- RoHS:否 
- 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 
- 系列:- 
- 标准包装:1,000 
- 系列:MESH OVERLAY™ FET 
- 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 
- 特点:逻辑电平门 
- 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° 
- C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° 
- C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 
- Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ 
- Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ 
- Vds:1560pF @ 25V 功率 - 
- 最大:40W 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-220-3 整包 
- 供应商设备封装:TO-220FP 
- 包装:管件 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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