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2SK2955规格书详情
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS=0.010 Ωtyp.
• High speed switching
• 4V gate drive device can be driven from 5V source
产品属性
- 型号:
2SK2955
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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HITACHI/日立 |
23+ |
NA/ |
11318 |
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HITACHI/日立 |
24+ |
TO 3P |
158361 |
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询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
6000 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
7350 |
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HITACHI/日立 |
24+ |
TO3P |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
90000 |
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RENESAS |
22+ |
TO-3P |
3000 |
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询价 | ||
日立 |
TO3P |
608900 |
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reNESAS |
24+ |
30000 |
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ir |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
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