选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
HITSOT89 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
HITACHI/日立SOT89 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
RENESAS-瑞萨SOT-89-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
SOT-89NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
Hitachi/Hitachi, Ltd./日立公司SOT89 |
3599 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
SOT89 |
608900 |
HIT |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT-223 |
5000 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
|
深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
|
HITACHI/日立SOT89 |
25000 |
22+ |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
|||
|
深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
|
HITACHISOT-89 |
1520 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
|
HITACHI/日立SOT89 |
459 |
12+ |
全新原装 实单必成 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
RENESAS/瑞萨UPAK |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
HITACHI/日立NA/ |
940 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
HITACHI/日立SOT89 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
RENESAS瑞萨/HITACHI日立SOT-89 |
57200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
HITACHI/日立SOT89 |
359 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
|
HITACHISOT89 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
|||
|
深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
|
HITACHISOT-89 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
|
深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
|
HITSOIC/5.2mm |
4231 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
|
深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
|
HITSOIC/5.2mm |
6540 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
HITACHI/日立SOT89 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
2SK2315TYTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SK2315TYTR图片
2SK2315TYTR资讯
2SK2315TYTR 2SK2315TYTR 原装现货,金丰信电子
AK93C45BL-L AD688ARWZ FDG6303N ADR510ART ESDA14V2SC6 MAX5223EKS SBC846BDW1T1 BC846BDW1T1 NE450184C-T1 FAN2514S25X XC62FP5002PR LMV932MM LM
2SK2315TYTR中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK2315TYTR功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2315TYTR-E功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件