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Renesas(瑞萨)原厂封装

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Renesas(瑞萨)原厂封装

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Renesas(瑞萨)标准封装

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Renesas(瑞萨)封装

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Renesas(瑞萨)原厂封装

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2SK2221-E功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

产品属性

  • 产品编号：

    2SK2221-E

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型：

    N 通道

  • 技术：

    MOSFET（金属氧化物）

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

    8A（Ta）

  • Vgs（最大值）：

    ±20V

  • 功率耗散（最大值）：

    100W（Tc）

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 供应商器件封装：

    TO-3P

  • 封装/外壳：

    TO-220-3 整包

  • 描述：

    MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

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