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2SK1880STL-E	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1880STL-E	文件：1.08598 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08598 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1880	文件：44.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator Application High speed power switching 文件：44.77 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1880	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1880	文件：1.08591 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08591 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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深圳市博中泰实业有限公司	2SK1880STL-E	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO-252	60000		询价
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更多2SK1880STL-E供应商更新时间2026-1-21 11:00:00