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2SJ687-ZK-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SJ687-ZK-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

276.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 23:00:00

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2SJ687-ZK-E2-AY规格书详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)

RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A)

• 2.5 V drive available

• Avalanche capability ratings

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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