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2SJ605-S中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SJ605-S
厂商型号

2SJ605-S

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

219.41 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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2SJ605-S规格书详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –33 A)

RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –33 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 A)

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    2SJ605-S

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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