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2SJ479STL-E	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ479	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ479	文件：38.52 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：38.52 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ479(L)_15	文件：111.15 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：111.15 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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