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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ325isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)=0.08ΩTYP.(VGS=−10V,ID=−2.0A) RDS(on)=0.15ΩTYP.(VGS=−4V,ID=−1.6A) •LowCis | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFieldEffectPowerTransistors Features ●Lowon-stateresistance RDS(on)=83mΩ(VGS=-10V,ID=-2A) RDS(on)=0.15Ω(VGS=-4V,ID=-1.6A) ●Built-inG-SGateProtectionDiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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