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P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
HighSpeedSwitchingApplicationsAnalogApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
PCHANNELMOSTYPE(HIGHSPEEDSWITCHING,ANALOGAPPLICATIONS) HighSpeedSwitchingApplications AnalogApplications •Highinputimpedance •Lowgatethresholdvoltage.:Vth=−0.5to−1.5V •Excellentswitchingtimes.:ton=0.06μs(typ.)toff=0.15μs(typ.) •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=2.4Ω(typ.) •Smallpackage. •Complementar | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
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