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2SJ210-T1B-A中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

2SJ210-T1B-A
厂商型号

2SJ210-T1B-A

功能描述

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件大小

980.29 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
VBSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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2SJ210-T1B-A规格书详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• High-Side Switching

• Low On-Resistance: 3 

• Low Threshold: - 2 V (typ.)

• Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.)

• Low Input Capacitance: 20 pF (typ.)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

产品属性

  • 型号:

    2SJ210-T1B-A

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Cut Tape

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A 3-Pin SC-59 T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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