2SJ162-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SJ162-E |
| 参数属性 | 2SJ162-E 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET P-CH 160V 7A TO3P |
| 功能描述 | Silicon P Channel MOS FET |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
71.09 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 12:00:00 |
| 人工找货 | 2SJ162-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SJ162-E规格书详情
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058
• Good frequency characteristic
• High speed switching
• Wide area of safe operation
• Enhancement-mode
• Good complementary characteristics
• Equipped with gate protection diodes
• Suitable for audio power amplifier
产品属性
- 产品编号：
2SJ162-E
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
P 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
7A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- Vgs（最大值）：
±15V
- 功率耗散（最大值）：
100W（Tc）
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 描述：
MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
Renesas |
2000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
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Renesas |
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RENESAS |
24+ |
Renesas |
16900 |
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RENESAS |
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Renesas |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
Renesas |
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RENESAS/瑞萨 |
20+ |
Renesas |
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RENESAS/瑞萨 |
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Renesas |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
22048 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4590 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 |
