2SD2662中文资料Low VCE(sat) Transistor数据手册ROHM规格书

厂商型号 |
2SD2662 |
参数属性 | 2SD2662 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 1.5A MPT3 |
功能描述 | Low VCE(sat) Transistor |
封装外壳 | TO-243AA |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
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2SD2662规格书详情
描述 Description
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
特性 Features
Low VCE(sat)晶体管
简介
2SD2662属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD2662晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2SD2662
- 生产厂家
:ROHM
- Status
:新设计非推荐
- 封装
:MPT3
- 包装数量
:1000
- 最小独立包装数量
:1000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Grade
:Standard
- Package Code
:SOT-89
- JEITA Package
:SC-62
- Package Size[mm]
:4.5x4.0 (t=1.5)
- Number of terminal
:3
- Polarity
:NPN
- Collector Power dissipation PC[W]
:0.5
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
:30.0
- Collector current Io(Ic) [A]
:1.5
- hFE
:270 to 680
- hFE (Min.)
:270
- hFE (Max.)
:680
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
739 |
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ROHM |
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SOT89 |
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ROHM/罗姆 |
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SOT-89 |
100000 |
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ROHM/罗姆 |
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SOT89 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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SOT89 |
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ROHM |
24+ |
SOT-89 |
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ROHM |
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SOT-89 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
2511 |
SOT-89 |
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