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2SD2652T106中文资料NPN Low VCE(sat) Transistor数据手册ROHM规格书

厂商型号 |
2SD2652T106 |
参数属性 | 2SD2652T106 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 12V 1.5A UMT3 |
功能描述 | NPN Low VCE(sat) Transistor |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 11:27:00 |
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2SD2652T106规格书详情
简介
2SD2652T106属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD2652T106晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
2SD2652T106
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 25mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
270 @ 200mA,2V
- 频率 - 跃迁:
400MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
UMT3
- 描述:
TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM Semiconductor |
23+ |
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ROHM/罗姆 |
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UMT-3 |
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RohmSemiconductor |
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SC-70-3SOT-323 |
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