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2SD2562分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD2562

参数属性

2SD2562 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF

功能描述

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

封装外壳

TO-3P-3 整包

文件大小

24.69 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

ETC List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商

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更新时间

2026-2-4 17:02:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD2562

  • 别名:

    2SD2562三极管、2SD2562晶体管、2SD2562晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    绝缘 (Iso)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    150V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    70MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDV67DF,

  • 最大耗散功率:

    85W

  • 放大倍数:

    β=5000

  • 图片代号:

    B-98

  • vtest:

    150

  • htest:

    70000000

  • atest:

    15

  • wtest:

    85

2SD2562规格书详情

[SANKEN]

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1649)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2562

  • 制造商:

    Sanken

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 10mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5000 @ 10A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    70MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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