2SD2382分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SD2382 |
| 参数属性 | 2SD2382 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 65V 6A TO220F |
| 功能描述 | Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
39.82 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | Sanken |
| 中文名称 | 三垦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 19:00:00 |
| 人工找货 | 2SD2382价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD2382规格书详情
2SD2382属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由三垦电气株式会社制造生产的2SD2382晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Power Transistor
产品属性
更多- 产品编号：
2SD2382
- 制造商：
Sanken
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 15mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
700 @ 1A，1V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F
- 描述：
TRANS NPN DARL 65V 6A TO220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
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SOT23 |
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