2SD2382分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2SD2382 |
参数属性 | 2SD2382 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 65V 6A TO220F |
功能描述 | Power Transistor |
文件大小 |
39.82 Kbytes |
页面数量 |
1 页 |
生产厂商 | Sanken Electric Co Ltd. |
企业简称 |
Sanken【三垦】 |
中文名称 | 日本三垦官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 14:08:00 |
2SD2382规格书详情
Power Transistor
2SD2382属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。日本三垦制造生产的2SD2382晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
2SD2382
- 制造商:
Sanken
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 15mA,1.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
700 @ 1A,1V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220F
- 描述:
TRANS NPN DARL 65V 6A TO220F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
22+ |
SOT-23 |
32350 |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
询价 | ||
NEC |
1610 |
SOT23 |
800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOT23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NEC |
2339+ |
4231 |
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询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
TO-3PL |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
1100 |
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询价 | ||
NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | ||||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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NEC |
22+ |
SOT23 |
25000 |
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NEC |
2023+ |
SOT23 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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