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2SD2258分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD2258

参数属性

2SD2258 封装/外壳为3-SIP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2

功能描述

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2

封装外壳

3-SIP

文件大小

51.78 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

Panasonic

中文名称

松下

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-10 22:59:00

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2SD2258规格书详情

2SD2258属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由松下电器制造生产的2SD2258晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

■ Features

• Darlington connection

• High forward current transfer ratio hFE

• Allowing supply with the radial taping

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SD22580RA

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 1mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8000 @ 1A,10V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    3-SIP

  • 供应商器件封装:

    MT-2-A1

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2

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