2SD2170中文资料High gain amplifier Transistor(Darlington)数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
2SD2170 |
| 参数属性 | 2SD2170 封装/外壳为TO-243AA；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 90V 2A MPT3 |
| 功能描述 | High gain amplifier Transistor(Darlington) |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 12:28:00 |
| 人工找货 | 2SD2170价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD2170规格书详情
描述 Description
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
特性 Features
•电力増幅用晶体管表面安装型
简介
2SD2170属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SD2170晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2SD2170
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：MPT3
- 包装数量
：1000
- 最小独立包装数量
：1000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：SOT-89
- JEITA Package
：SC-62
- Number of terminal
：3
- Polarity
：NPN
- Collector Power dissipation PC[W]
：0.5
- Collector current Io(Ic) [A]
：2
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：4.5x4 (t=1.5)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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SOT-89 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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SOT89 |
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