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2SD2150-R分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SD2150-R
厂商型号

2SD2150-R

参数属性

2SD2150-R 封装/外壳为TO-243AA;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 20V 3A SOT89

功能描述

NPN Plastic-Encapsulate Transistors
TRANS NPN 20V 3A SOT89

文件大小

725.69 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Micro Commercial Components
企业简称

MCC美微科

中文名称

美微科半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-9 18:10:00

2SD2150-R规格书详情

Features

• Halogen free available upon request by adding suffix -HF

• Excellent current-to-gain characteristics

• Low collector saturation voltage VCE(sat)

• Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information)

• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

• Moisture Sensitivity Level 1

2SD2150-R属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。美微科半导体公司制造生产的2SD2150-R晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2150-R-TP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    290MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 3A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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04+
20000
全新原装现货 样品可售
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SOT89
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