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2SD1835中文资料Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SD1835

参数属性

2SD1835 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 2A 3NP

功能描述

Bipolar Transistor
TRANS NPN 50V 2A 3NP

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-3 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1835

  • 别名:

    2SD1835三极管、2SD1835晶体管、2SD1835晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_LO.SAT

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3266,2SC3328,2SD965,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    60

  • htest:

    150000000

  • atest:

    2

  • wtest:

    0

2SD1835规格书详情

简介

2SD1835属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的2SD1835晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2SD1835S

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 50mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    3-NP

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 2A 3NP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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