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2SD1815数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SD1815

参数属性

2SD1815 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TP

功能描述

Bipolar Transistor, 100V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single, TP/TP-FA
TRANS NPN 100V 3A TP

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 8:01:00

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2SD1815规格书详情

描述 Description

The 2SD1815 is a Bipolar Transistor, 100V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single, TP/TP-FA, for high-current switching applications. 2SA1215 is a complementary PNP bipolar transistor.

特性 Features

• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Excllent linearity of hFE
• Small-sized package permitting 2SB1215/2SD1815-applied sets to be made small and slim
• Fast switching time
• High fT

应用 Application

• Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications

简介

2SD1815属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD1815晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SD1815

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.4

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :120

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :140

  • hFE Max

    :280

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :1

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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