2SD1759中文资料Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W)数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
2SD1759 |
| 参数属性 | 2SD1759 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 40V 2A CPT3 |
| 功能描述 | Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W) |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
| 人工找货 | 2SD1759价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD1759规格书详情
简介
2SD1759属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SD1759晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2SD1759TL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.2mA，600mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 500mA，3V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
CPT3
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 2A CPT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-252 |
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ROHM/罗姆 |
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TO-252 |
880000 |
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ROHM |
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To-252 |
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ROHOM |
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ROHM |
24+ |
TO-252 |
8700 |
新进库存/原装 |
询价 |
