2SD1685F中文资料Bipolar Transistor 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single TO-126ML数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
2SD1685F |
| 参数属性 | 2SD1685F 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 5A TO126ML |
| 功能描述 | Bipolar Transistor 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single TO-126ML |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 15:08:00 |
| 人工找货 | 2SD1685F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD1685F规格书详情
简介
2SD1685F属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SD1685F晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2SD1685F
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 60mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126ML
- 描述：
TRANS NPN 20V 5A TO126ML
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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NEC |
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