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2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 2A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623-U	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.18338 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

产品属性

产品编号：
2SD1623T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 50V 2A PCP

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