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2SD1485中文资料POWER TRANSISTOR数据手册Panasonic规格书

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厂商型号

2SD1485

参数属性

2SD1485 封装/外壳为TOP-3F;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 5A TOP-3F

功能描述

POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 100V 5A TOP-3F

封装外壳

TOP-3F

制造商

Panasonic Panasonic Semiconductor

中文名称

松下 松下电器

数据手册

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更新时间

2025-11-20 15:24:00

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2SD1485规格书详情

描述 Description

Silicon NPN triple diffusion planar type
For high power amplification Complementary to 2SB1054■

特性 Features

● Extremely satisfactory linearity of the forward current transfer ratio hFE
● Wide area of safe operation (ASO)
● High transition frequency fT
● Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

简介

2SD1485属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Panasonic制造生产的2SD1485晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2SD14850P

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    20MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TOP-3F

  • 供应商器件封装:

    TOP-3F-A1

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A TOP-3F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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