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2SD1270分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD1270

参数属性

2SD1270 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 5A TO220F-A1

功能描述

Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
TRANS NPN 80V 5A TO220F-A1

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

55.71 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

PANASONIC

中文名称

松下

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-4 14:24:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1270

  • 别名:

    2SD1270三极管、2SD1270晶体管、2SD1270晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    130V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    30MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC4338,2SD1897,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    130

  • htest:

    30000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    40

2SD1270规格书详情

2SD1270属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由松下电器制造生产的2SD1270晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Silicon NPN epitaxial planar type

For power switching

Complementary to 2SB945

■ Features

● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE

● Large collector current IC

● Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SD12700P

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-A1

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 5A TO220F-A1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Panasonic Electronic Component
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