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2SD1263分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD1263

参数属性

2SD1263 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.75A TO220F-A1

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

103.77 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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更新时间

2026-2-4 18:41:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1263

  • 别名:

    2SD1263三极管、2SD1263晶体管、2SD1263晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    350V

  • 最大电流允许值:

    0.75A

  • 最大工作频率:

    30MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BUW40,BUW40A,BUW40B,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2SC3969,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    350

  • htest:

    30000000

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    35

2SD1263规格书详情

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High breakdown voltalge

APPLICATIONS

·For power amplification

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1263AQ

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 300mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-A1

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.75A TO220F-A1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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