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2SD113中文资料PDF规格书

2SD113
厂商型号

2SD113

参数属性

2SD113 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 150V 2A TO220AB

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

223.73 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-15 12:41:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SD113

  • 别名:

    2SD113三极管、2SD113晶体管、2SD113晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    30A

  • 最大工作频率:

    1.5MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDW30,BDY29,BDY57,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DD73D,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    1500000

  • atest:

    30

  • wtest:

    200

2SD113规格书详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min)

·High Power Dissipation

·High Current Capability

APPLICATIONS

·Audio power amplifier, power switching applications.

·DC-DC converter and regulator applications.

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1138-C-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS NPN 150V 2A TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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