2SCR567F3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2SCR567F3 |
| 参数属性 | 2SCR567F3 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3 |
| 功能描述 | 小型化、高散热性封装，NPN 2.5A 120V 中功率晶体管 |
| 封装外壳 | 3-UDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 | ROHM |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | 2SCR567F3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SCR567F3规格书详情
描述 Description
2SCR567F3是低VCE(sat)的中功率晶体管，适合低频放大用途。采用热导率、导电率优异的无引线小型表面安装封装HUML2020L3(DFN2020-3S)。
特性 Features
• Suitable for Middle Power Driver.
• Low VCE(sat) VCE(sat)=200mV (Max.). (IC/IB=800mA/80mA)
• High collector current. IC=2.5A (max), ICP=5A (max)
• Leadless small SMD package (HUML2020L3) Excellent thermal and electrical conductivity.
技术参数
- 制造商编号
：2SCR567F3
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HUML2020L3
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：DFN2020-3S
- Number of terminal
：3
- Polarity
：NPN
- Collector Power dissipation PC[W]
：1
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
：120
- Collector current Io(Ic) [A]
：2.5
- hFE
：120 to 390
- hFE (Min.)
：120
- hFE (Max.)
：390
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：2x2 (t=0.65)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
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