2SCR567F3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SCR567F3 |
| 参数属性 | 2SCR567F3 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3 |
| 功能描述 | NPN 2.5A 120V Middle Power Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN2020-3S / 3-UDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
1.55365 Mbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SCR567F3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SCR567F3规格书详情
特性 Features
1) Suitable for Middle Power Driver.
2) Low VCE(sat)
VCE(sat)=200mV(Max.).
(IC/IB=800mA/80mA)
3) High collector current.
IC=2.5A(max),ICP=5A(max)
4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)
Excellent thermal and electrical conductivity.
Application
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
产品属性
- 产品编号：
2SCR567F3TR
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 80mA，800mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
220MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
HUML2020L3
- 描述：
TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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