2SCR514P分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2SCR514P |
参数属性 | 2SCR514P 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 0.7A MPT3 |
功能描述 | Midium Power Transistors (80V / 700mA) |
文件大小 |
242.56 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Rohm Semiconductor |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-14 22:59:00 |
2SCR514P规格书详情
2SCR514P属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。罗姆半导体集团制造生产的2SCR514P晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
2SCR514PFRAT100
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 15mA,300mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 100mA,3V
- 频率 - 跃迁:
320MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
MPT3
- 描述:
TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA/ |
4250 |
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ROHM(罗姆) |
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ROHM/罗姆 |
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SOT89 |
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ROHM |
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Rohm |
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ROHM |
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MPT3 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
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