2SC6026分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC6026 |
| 参数属性 | 2SC6026 封装/外壳为SC-101，SOT-883；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 0.1A CST3 |
| 功能描述 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications |
| 封装外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 文件大小 |
132.56 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-11 17:58:00 |
| 人工找货 | 2SC6026价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC6026规格书详情
General-Purpose Amplifier Applications
• High voltage and high current
: VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max)
• Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
• High hFE : hFE = 120~400
• Complementary to 2SA2154
• Lead (Pb) free
产品属性
- 产品编号：
2SC6026CT-Y(TPL3)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-101，SOT-883
- 供应商器件封装：
CST3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.1A CST3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
SOT-923 |
6915 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-723 |
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TOSHIBA/东芝 |
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S0T-723 |
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TOSHIBA |
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