| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3P |
35000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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PANASONIC/松下SSSMini3-F2-B |
34300 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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TOSHIBA/东芝CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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TOSHIBA/东芝CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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T/NECCAN |
35304 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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进口原装CAN |
16668 |
23+ |
优势库存 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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30000 |
08PB |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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NECCAN3 |
28500 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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T/NECCAN |
50000 |
2023+ |
全新原装现货 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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NECCAN3 |
28500 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3PL |
17000 |
2024+ |
厂家生产直销,质量等同原装 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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TOSHIBATO-3PL |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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TOSHIBATO-3PL |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PL-3 |
11111 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBANA |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P-3 |
12680 |
22+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PL |
12000 |
23+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECCAN3 |
4365 |
23+ |
优势库存 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PL |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3PL |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
2SC594采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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2SC5946G0L价格
2SC5946G0L价格：￥0.8855品牌：Panasonic
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2SC5949-O/2SA2121-O中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC594600L功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
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2SC5948-O(Q)功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q)功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q)功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-R(Q)功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFR97,BFR98,BFS23,BSW51,BSW52,BFX33,BFX55,BSY58,2N2218(A),2N2219(A),2N3866,3DG181F,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-40
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
.2
- wtest：
.75
