2SC5819(TE12L,ZF)_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
2SC5819(TE12L,ZF)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-243AA
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-9-20 15:00:00

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原厂料号：2SC5819(TE12L,ZF)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI

2SC5819(TE12L,ZF)是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-243AA的2SC5819(TE12L,ZF)晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2sc5819(te12l,zf)
规格书：
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资料说明：
TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SC5819(TE12L,ZF)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
120mV @ 10mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 150mA，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PW-MINI
描述：
TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI

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